마이크론은 Hot Chips 2026에서 주목할 만한 비교를 제시했다. 동일 메모리 용량 기준으로 HBM은 DDR5의 약 3배 웨이퍼 면적을 필요로 한다. 이 비율이 새 세대에서 개선될지에 대한 질문에 마이크론 펠로는 절대 나아지지 않을 것이라고 설명한 것으로 전해졌다.

Hot Chips에서 공개된 데이터에 따르면 HBM4 다이는 256개의 메모리 뱅크로 동작하는 반면 DDR5는 32개로 규정돼 있다. 추가 데이터 경로와 전원 공급, 적층된 메모리 다이들을 서로 연결하는 TSV(Through-Silicon Via)도 고려해야 한다.

결국 데이터센터 GPU에 들어가는 HBM 1GB마다 일반 DRAM 용량 3GB가 사라지는 셈이다. 이는 메모리 부족 사태의 상당 부분을 설명한다. B100 하나에는 HBM 144GB가 탑재되는데, 이는 일반 DDR5 432GB와 같은 웨이퍼 면적을 차지한다.

빅3(마이크론, 삼성, SK하이닉스)의 HBM 전환은 GB 생산량 기준으로 DRAM 공급을 사실상 3분의 2나 줄였다. 내년 신규 웨이퍼 캐파가 가동되더라도, 그 추가 캐파가 전부 HBM이 아닌 DRAM에 배정된다고 가정해도 공급 제약은 당분간 나아지지 않을 것으로 보인다.