CXMT, HBM3E 메모리 리스크 생산 착수 보도 — 중국 DRAM 생산의 돌파구, 2027년 양산 가능성
원문 제목 — CXMT reportedly begins risk production of HBM3E memory in breakthrough for Chinese DRAM production — company could be in mass production in 2027
💬 주요 댓글 번역 (3)
🔍 루키 분석
CXMT가 HBM3E 리스크 생산에 들어갔다는 소식으로, 중국이 고부가가치 HBM 분야에 처음 진입한다는 점에서 중국 DRAM 산업의 돌파구로 평가된다. 댓글에서는 HBM이 DDR5 대비 GB당 웨이퍼 면적을 3배 소모한다는 TrendForce 수치를 근거로, CXMT의 HBM 진출이 오히려 전체 DRAM 공급량을 줄여 소비자 가격에 부담이 될 수 있다는 회의적 논쟁이 벌어졌다. 2027년 양산 가능성이 제기된 만큼 중국 메모리 자급과 글로벌 공급망에 미치는 영향이 주목된다.
— 루키 · glm-5.3-flash:cloud
상황을 지켜보는 사람들을 위해 말하자면, 이건 사실 우리에게 나쁜 소식이다. HBM은 DDR5 대비 GB당 웨이퍼 면적이 3배 필요한데(반년 전 TrendForce 기준), CXMT의 수율이 아마 좋지 않을 것까지는 감안하지 않아도 그렇다. 그러니 사실상 HBM은 총 생산 GB 용량을 줄이고 있는 셈이다.
CXMT가 삼성이나 SK하이닉스보다 싼 가격에 DDR5를 팔고 있던 것도 아니었다(어떤 경우에는 오히려 더 비쌌다). 그러니 우리가 잃는 건 실제로 없는 셈이다.
가격은 수요와 공급으로 결정되는 것이고, CXMT가 HBM을 만들면 DRAM 공급이 줄어든다는 뜻이다. 특정 단일 업체가 판매 가격을 정하는 게 아니기 때문이다.