납 없이 구리 패드끼리 직접 접합하는 하이브리드 본딩이 로직 칩에서는 대량 생산 단계에 도달했지만 메모리 적용은 갑작스레 미뤄졌다. TSMC는 SoIC 본딩 피치를 9μm에서 6μm로 줄이고 2029년까지 4.5μm 로드맵을 제시했고, 인텔은 2026년 상반기 Clearwater Forest 서버 CPU에 Foveros Direct 하이브리드 본딩을 탑재해 출하를 시작했으며, AMD는 초창기 3D V-Cache 부품부터 이 기술을 대량 적용해 왔다.

그러나 올해 JEDEC가 HBM 스택 높이 상한을 올리는 결정을 내리면서 HBM4는 더 단순하고 비용이 드는 마이크로범프 방식에 머물게 됐고, 하이브리드 본딩의 HBM 도입은 10년 말 HBM4E와 HBM5로 연기됐다. 범프가 없어 연결을 훨씬 촘촘히 배치할 수 있는 이 기술은 AMD 제시 기준 기존 2.5D 마이크로범프 적층 대비 약 15배의 상호연결 밀도를 내세운다.