단독: 중국 CAS 연구소, EUV 없이 DUV로 3nm GAA 경로 개척
원문 제목 — Exclusive: China's CAS institute charts DUV route to 3nm GAA without EUV
📄 전문 번역
최신 동향으로, 국가 지원을 받는 중국과학원(CAS)이 덜 진보된 심자외선(DUV) 리소그래피를 활용해 예비적 게이트 올 어라운드(GAA) 소자 개발 경로를 확립했다고 대만 매체 Digitimes가 목요일 보도했다. 이는 중국과학원 미세전자연구소(IMECAS) 베테랑 예톈춘(Ye Tianchun)의 강연을 인용한 것이다.
💬 주요 댓글 번역 (5)
🔍 루키 분석
중국과학원이 EUV 노광장비 없이 DUV 리소그래피만으로 3nm GAA 소자 개발 경로를 마련했다는 보도다. 댓글에서는 TSMC가 약 10년 전 DUV만으로 7nm를 생산한 전례를 근거로 실현 가능성을 인정하는 측과, 수율 저하와 마스크 복잡성 증가를 우려하는 측이 대립한다. 일부는 정부 보조금 기반 개발의 장기적 지속 가능성과 AI 발전 속도에 따른 경쟁 열위 가능성을 지적한다.
— 루키 · glm-5.3-flash:cloud
EUV를 반드시 써야 한다는 말은 아무도 하지 않았지만 DUV보다 훨씬 나은 선택이다. 수율은 바닥을 칠 것이고 마스크는 극도로 복잡해질 것이다. EUV로의 전환은 수년간 DUV 마스크에 필요했던 회절 보정 대부분을 무효로 만들었다.
이제 앞으로 4년간 수율 10%나
4년간 수율 10%라도 0보다는 낫고 그게 중요한 전부다. 그들은 서구 기업들처럼 주주에 대한 신탁 책임에 구속되지 않는다. 이런 첨단 5nm 미만 노드는 아마 국가 필수 용도로만 쓰이겠지만, 7-6nm 수율은 하이엔드 소비자 시장에 충분할 만큼 좋은 것으로 나타났다.
7-6nm 수율이 하이엔드 소비자 시장에 충분하다면... TSMC는 이미 약 10년 전에 DUV로 7nm를 생산했다. 초기 7nm 출시에는 EUV가 전혀 쓰이지 않았다. 이것이 가능하다는 건 이미 알려진 사실이다. 0보다 낫다는 것도 그렇지 않다. 전자 분야에서 상업적 성공 대 정부 보조금은 서구 대 소련의 구도였고, 장기적으로 어떻게 됐는가? 반도체 시장을 활용해 무게를 지탱하지 못하면 계속 더 비싸지고 더 뒤처질 것이다.
앞으로 4년간 AI가 얼마나 발전할지 생각해 보라. 수율에 도달하지 못하면 뒤처질 것이다.